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Casa Produtosamplificador de poder do rf

Tipo de relação bidirecional nível do amplificador de potência 2W SMA-50KFD de FDD RF de entrada de -7dB

Tipo de relação bidirecional nível do amplificador de potência 2W SMA-50KFD de FDD RF de entrada de -7dB

  • Tipo de relação bidirecional nível do amplificador de potência 2W SMA-50KFD de FDD RF de entrada de -7dB
Tipo de relação bidirecional nível do amplificador de potência 2W SMA-50KFD de FDD RF de entrada de -7dB
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Huanuo
Certificação: CE/FCC/ROHS
Número do modelo: HN-720FDDAMP
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: Pacote profissional da caixa da caixa
Tempo de entrega: 2~3 dias de trabalho
Termos de pagamento: T/T.
Habilidade da fonte: 500 peças por mês
Contato
Descrição de produto detalhada
Freqüência de trabalho: Possa personalizado TEMPERATURA DE TRABALHO: -20~+70℃
Tipo de Interface: SMA-50KFD Tensão de funcionamento: 11V~+18V
Ganho: 32dB±1dB Nível de entrada: -7dB
Dimensão: 120*53*15mm Peso: 176g
Realçar:

amplificador de radiofrequência

,

Módulo do amplificador de potência do RF

amplificador de potência bidirecional de 2W FDD

 

 

 

  • Índice da radiofrequência:
Teste o artigo Índice Nota
Amplificador de potência Frequência de trabalho (megahertz) 300~860MHz (outras frequências enlatam personalizado)  
Potência de saída máximo (dBm) 32dBm±1dBm (Nenhum controle de ALC)
Atraso de grupo do Passband (ns) ≤50ns  
Ganho (DB) 32dB±1dB  
Flutuação do Passband ≤1dB (Pico ao valor máximo)
Nível de entrada (DB) -7 DB  
Relação do ombro (dBc) ≤-30dBc  
Tensão de funcionamento +11V~+18V VDC  
Corrente de trabalho ≤1.8A_12V  
Temperatura de trabalho -20~+70℃  
Tipo de relação SMA-50KFD  
Peso 176 g  
Dimensões do módulo (milímetros) 120*53*15mm Sem junção
 

 

 

 

    

Contacto
Shenzhen Huanuo Innovate Technology Co.,Ltd

Pessoa de Contato: Miss. Wendy

Fax: 86-755-8830-8460

Envie sua pergunta diretamente para nós (0 / 3000)

CONTATO

Endereço: Unidade J, assoalho 16, bloco C, construção NEO, área Futian, Shenzhen, Guangdong, China.